Samsung разработала модули памяти DDR4, которые на 40 % энергоэффективнее, чем DDR3

Память DDR4 будет стандартизирована в конце 2010 года. Характеристики DDR4 внушают большие надежды - память вдвое быстрее DDR3 и в 4 раза быстрее DDR2.

 

Samsung представила модули оперативной памяти DDR4, созданные с помощью техпроцесса 30 нм.

Модули способны передавать данные со скоростью до 3200 миллионов транзакций в секунду, при напряжении 1,2 В. Для сравнения: скорость модулей DDR3, изготовленных по техпроцессу 30 нм и рассчитанных на напряжение 1,35 или 1,5 В, составляет до 1600 миллионов передач. Новые модули потребляют на 40 % меньше электроэнергии, чем модули DDR3, рассчитанные на напряжение 1,5 В.

В модулях используется технология Pseudo Open Drain, позволившая уменьшить потребляемое напряжение вдвое по сравнению с DDR3.

С использованием новой архитектуры DDR4 может работать со скоростью от 12,8 до 25,6 Гбайт/с. Сейчас же скорость DDR3 составляет до 12,8 Гбайт/с, а DDR2 — до 6,4 Гбайт/с.

Во второй половине года Samsung в сотрудничестве с производителями серверов планирует завершить стандартизацию DDR4 организацией JEDEC.