Сообщается, что усилия Toshiba будут направлены на создание флеш-модулей NAND с трёхмерной архитектурой. На 2013 год намечен выпуск прототипов ёмкостью 128 или 256 Гбит, а в 2014, как ожидается, появятся инженерные образцы таких изделий. Массовое производство намечено на 2015 год: корпорация начнёт поставки микросхем на 512 Гбит. В перспективе планируется выпуск чипов ёмкостью 1 Тбит и больше.


Кроме того, ориентировочно в 201 Toshiba представит образцы резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM) с 3D-структурой. Память ReRAM (или RRAM) совмещает достоинства DRAM и флеш-памяти NAND. Микросхемы ReRAM обеспечивают примерно такое же быстродействие, что и DRAM, оставаясь при этом энергонезависимыми. По сравнению с NAND память нового типа характеризуется меньшим энергопотреблением и на порядок бóльшим числом циклов перезаписи.

Наконец, Toshiba разрабатывает магниторезистивную память с произвольным доступом (MRAM), выполненную по технологии переключения с помощью переноса спина (Spin-Transfer Torque, STT). Эта методика призвана решить проблемы, с которыми «классическая» технология MRAM будет сталкиваться при увеличении плотности размещения ячеек памяти и повышении тока записи. MRAM будет применяться в качестве кеша в твердотельных дисках.